Transistor canal N STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Transistor canal N STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Quantité
Prix unitaire
1-4
7.24$
5-14
5.85$
15-29
6.51$
30-59
6.20$
60+
5.62$
Quantité en stock: 51

Transistor canal N STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1440pF. C (out): 60pF. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 28N65M2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 59 ns. Td(on): 13.4 ns. Technologie: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de canal: N. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:51

Documentation technique (PDF)
STW28N65M2
27 paramètres
Id (T=100°C)
13A
Id (T=25°C)
20A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.15 Ohms
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247
Tension Vds(max)
650V
C (in)
1440pF
C (out)
60pF
Dissipation de puissance maxi
170W
Fonction
circuits de commutation
Id(imp)
80A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
28N65M2
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Protection G-S
oui
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(off)
59 ns
Td(on)
13.4 ns
Technologie
MDmesh™ M2 Power MOSFETs
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
25V
Trr Diode (Min.)
384 ns
Type de canal
N
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V