Transistor canal N SUP75N03-04, TO-220AB, 30 v
Quantité
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1-9
8.33$
10+
6.33$
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Transistor canal N SUP75N03-04, TO-220AB, 30 v. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 10742pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Dissipation maximale Ptot [W]: 187W. Délai de coupure tf[nsec.]: 190 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SUP75N03-04. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Produit d'origine constructeur: Siliconix. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 19:01
SUP75N03-04
16 paramètres
Boîtier
TO-220AB
Tension drain-source Uds [V]
30 v
Capacité de grille Ciss [pF]
10742pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
75A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.004 Ohms @ 75A
Dissipation maximale Ptot [W]
187W
Délai de coupure tf[nsec.]
190 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
SUP75N03-04
Nombre de bornes
3
RoHS
non
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
20 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
3V
Produit d'origine constructeur
Siliconix