Transistor canal N TK8A65D-STA4-Q-M, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10U1B. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1350pF. C (out): 135pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 30Ap. Idss (min): -. Marquage sur le boîtier: K8A65D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:51