Transistor canal N TSM9926DCSRLG, SO8, 20V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 562pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21.8 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 0.6V. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:19