Transistor canal N ZXMN7A11GTA, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3.8A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 70V. C (in): 298pF. C (out): 35pF. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 10A. Idss (min): 0uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode MOSFET'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): -. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: -. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Diodes Inc. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:51