Transistor canal P 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Transistor canal P 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.25$
5-9
2.71$
10-24
2.44$
25-49
2.25$
50+
2.02$
Quantité en stock: 3

Transistor canal P 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 250V. C (in): 1040pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. Idss (min): -. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Td(off): 47 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: P-CHANNEL POWER MOS FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Nec. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SJ449
25 paramètres
Id (T=25°C)
6A
Idss (maxi)
100uA
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220FP
Tension Vds(max)
250V
C (in)
1040pF
C (out)
360pF
Dissipation de puissance maxi
35W
Fonction
SWITCHING, POWER MOS FET
Id(imp)
24A
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Résistance passante Rds On
0.55 Ohms
Td(off)
47 ns
Td(on)
24 ns
Technologie
P-CHANNEL POWER MOS FET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source VGS (off) min.
4 v
Tension grille/source Vgs
30 v
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Nec