Transistor canal P 2SJ598, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 720pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 23W. Fonction: diode de protection intégrée. Id(imp): 30A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ MOS à canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Nec. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31