Transistor canal P AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Transistor canal P AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.55$
5-49
0.45$
50-99
0.39$
100-199
0.35$
200+
0.30$
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Quantité en stock: 211

Transistor canal P AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. : 'enhanced'. C (in): 933pF. C (out): 108pF. Charge: 7nC. Courant de drain: -4A. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Fonction: faible charge d'entrée. Id (T=100°C): 3.8A. Id(imp): 25A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 1.4W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Spec info: Tension de grille de fonctionnement aussi basse que 2.5V. Td(off): 42 ns. Td(on): 5.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±12V. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 21 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.3V. Vgs(th) min.: 0.6V. Produit d'origine constructeur: Alpha & Omega Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:52

Documentation technique (PDF)
AO3401A
39 paramètres
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Id (T=25°C)
4.3A
Idss (maxi)
5uA
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension Vds(max)
30 v
'enhanced'
C (in)
933pF
C (out)
108pF
Charge
7nC
Courant de drain
-4A
Dissipation de puissance maxi
1.4W
Fonction
faible charge d'entrée
Id (T=100°C)
3.8A
Id(imp)
25A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
1.4W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.036 Ohms
Spec info
Tension de grille de fonctionnement aussi basse que 2.5V
Td(off)
42 ns
Td(on)
5.2 ns
Technologie
'Enhancement Mode Field Effect Transistor'
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Température
+150°C
Tension drain - source
-30V
Tension grille-source
±12V
Tension grille/source Vgs
12V
Trr Diode (Min.)
21 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
1.3V
Vgs(th) min.
0.6V
Produit d'origine constructeur
Alpha & Omega Semiconductors