Transistor canal P AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v

Transistor canal P AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.79$
5-24
0.65$
25-49
0.56$
50-99
0.51$
100+
0.42$
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Transistor canal P AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 50uA. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2060pF. C (out): 370pF. Charge: 30nC. Courant de drain: -12A, -10A. Dissipation de puissance maxi: 1.7W. Id (T=100°C): 7.4A. Id(imp): 60A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Nombre de sorties: 1. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 2W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4407A. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.0085 Ohms. Td(off): 24 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±25V. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Produit d'origine constructeur: Alpha & Omega Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:52

Documentation technique (PDF)
AO4407A
37 paramètres
Boîtier
SO
Id (T=25°C)
9.2A
Idss (maxi)
50uA
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
2060pF
C (out)
370pF
Charge
30nC
Courant de drain
-12A, -10A
Dissipation de puissance maxi
1.7W
Id (T=100°C)
7.4A
Id(imp)
60A
Idss (min)
10uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Nombre de sorties
1
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
2W
Quantité par boîtier
1
Remarque
sérigraphie/code CMS 4407A
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.0085 Ohms
Td(off)
24 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
'Enhancement Mode Field Effect Transistor'
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension drain - source
-30V
Tension grille-source
±25V
Tension grille/source Vgs
25V
Trr Diode (Min.)
30 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1.7V
Produit d'origine constructeur
Alpha & Omega Semiconductors