Transistor canal P AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v

Transistor canal P AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.20$
5-49
0.95$
50-99
0.81$
100+
0.71$
Quantité en stock: 337

Transistor canal P AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2330pF. C (out): 480pF. Dissipation de puissance maxi: 3W. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id (T=100°C): 10.5A. Id(imp): 60A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.0094 Ohms. Td(off): 49.5 ns. Td(on): 12.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de canal: P. Type de transistor: FET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Produit d'origine constructeur: Alpha & Omega Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:52

Documentation technique (PDF)
AO4427
30 paramètres
Id (T=25°C)
12.5A
Idss (maxi)
5uA
Boîtier
SO
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
2330pF
C (out)
480pF
Dissipation de puissance maxi
3W
Fonction
Commutation ou applications PWM
Id (T=100°C)
10.5A
Id(imp)
60A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.0094 Ohms
Td(off)
49.5 ns
Td(on)
12.8 ns
Technologie
'Enhancement Mode Field Effect Transistor'
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
25V
Trr Diode (Min.)
28 ns
Type de canal
P
Type de transistor
FET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1.7V
Produit d'origine constructeur
Alpha & Omega Semiconductors