Transistor canal P AOD403, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Transistor canal P AOD403, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.82$
5-49
1.61$
50-99
1.41$
100-199
1.26$
200+
0.96$
Quantité en stock: 140

Transistor canal P AOD403, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4360pF. C (out): 1050pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 100W. Id (T=100°C): 65A. Id(imp): 200A. Idss (min): 0.01uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 5.1M Ohms. Td(off): 51 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 39.5 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Produit d'origine constructeur: Alpha & Omega Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
AOD403
31 paramètres
Id (T=25°C)
85A
Idss (maxi)
5uA
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
4360pF
C (out)
1050pF
Conditionnement
rouleau
Dissipation de puissance maxi
100W
Id (T=100°C)
65A
Id(imp)
200A
Idss (min)
0.01uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
5.1M Ohms
Td(off)
51 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
'Enhancement Mode Field Effect Transistor'
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
25V
Trr Diode (Min.)
39.5 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
2500
Vgs(th) max.
3.5V
Vgs(th) min.
1.5V
Produit d'origine constructeur
Alpha & Omega Semiconductors