Transistor canal P BSP250, SOT223, -30V. Boîtier: SOT223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. : 'enhanced'. Capacité de grille Ciss [pF]: 250pF. Charge: 25nC. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Courant de drain: -3A. Dissipation de puissance maxi: 5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.65W. Délai de coupure tf[nsec.]: 140 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 3A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BSP250.115. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Puissance: 5W. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): -. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.25 Ohms / -1A / -10V. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 80 ns. Température de fonctionnement: -. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: -. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.8V. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: SMD. Type de transistor: P-MOSFET. Vdss (tension drain à source): -30V. Vgs(th) (Max) @ Id: -. Produit d'origine constructeur: Nxp. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36