Transistor canal P BSP316, SOT-223, -100V
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Transistor canal P BSP316, SOT-223, -100V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.68A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.2 Ohms @ -0.61A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: BSP316. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36
BSP316
16 paramètres
Boîtier
SOT-223
Tension drain-source Uds [V]
-100V
Capacité de grille Ciss [pF]
370pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-0.68A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
2.2 Ohms @ -0.61A
Dissipation maximale Ptot [W]
1.8W
Délai de coupure tf[nsec.]
110 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
BSP316
Nombre de bornes
3
RoHS
non
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
12 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-2V
Produit d'origine constructeur
Infineon