Transistor canal P BSS84-215-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V

Transistor canal P BSS84-215-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V

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Transistor canal P BSS84-215-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 45pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Délai de coupure tf[nsec.]: 7 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: 13. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Produit d'origine constructeur: Nxp. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36

BSS84-215-PD
17 paramètres
Boîtier
SOT-23
Boîtier (norme JEDEC)
TO-236AB
Tension drain-source Uds [V]
-50V
Capacité de grille Ciss [pF]
45pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-0.13A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
10 Ohms @ -0.13A
Dissipation maximale Ptot [W]
0.25W
Délai de coupure tf[nsec.]
7 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
13
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
3 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-2V
Produit d'origine constructeur
Nxp