Transistor canal P FDC638P, SOT-23/6, -20V. Boîtier: SOT-23/6. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -4.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Délai de coupure tf[nsec.]: 33 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: .638. Nombre de bornes: 6. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Produit d'origine constructeur: Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:31