Transistor canal P FDS4435BZ, SO, 8.8A, 1uA, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. : 'enhanced'. C (in): 1385pF. C (out): 275pF. Charge: 40nC. Courant de drain: -8.8A. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: contrôleur de charge batterie. Id(imp): 50A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Polarité: unipolaire. Protection G-S: oui. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Spec info: Niveau de protection ESD HBM de 3.8kV. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19