Transistor canal P FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2890pF. C (out): 500pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id (T=100°C): n/a. Id(imp): 65A. Idss (min): n/a. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 7.7m Ohms. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Td(off): 210 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19