Transistor canal P IRF4905PBF, TO220AB, -55V, 74A, -55V

Transistor canal P IRF4905PBF, TO220AB, -55V, 74A, -55V

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Transistor canal P IRF4905PBF, TO220AB, -55V, 74A, -55V. Boîtier: TO220AB. Tension drain - source (Vds): -55V. Courant de drain maxi: 74A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -74A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 61 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 74A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF4905. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET P. Puissance: 200W. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Série: HEXFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: P. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Vdss (tension drain à source): -55V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:25

Documentation technique (PDF)
IRF4905PBF
30 paramètres
Boîtier
TO220AB
Tension drain - source (Vds)
-55V
Courant de drain maxi
74A
Tension drain-source Uds [V]
-55V
Capacité de grille Ciss [pF]
3400pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-74A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.02 Ohms @ -38A
Dissipation de puissance maxi
200W
Dissipation maximale Ptot [W]
200W
Délai de coupure tf[nsec.]
61 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Id @ Tc=25°C (courant de drain continu)
74A
Marquage du fabricant
IRF4905
Nombre de bornes
3
Polarité
MOSFET P
Puissance
200W
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.02 Ohms
Série
HEXFET
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
18 ns
Température maxi
+175°C.
Tension d'entraînement
10V
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-4V
Tension grille/source Vgs (Max)
-20V
Type de canal
P
Type de montage
THT
Type de transistor
transistor de puissance MOSFET
Vdss (tension drain à source)
-55V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier