Transistor canal P IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V

Transistor canal P IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.89$
5-24
1.60$
25-49
1.40$
50-99
1.27$
100+
1.09$
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Quantité en stock: 50

Transistor canal P IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1200pF. C (out): 520pF. Charge: 42nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -31A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 22A. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 110W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. Résistance thermique du boîtier: 1.4K/W. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: -55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 71 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
IRF5305
40 paramètres
Boîtier
TO-220
Id (T=25°C)
31A
Idss (maxi)
250uA
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
55V
C (in)
1200pF
C (out)
520pF
Charge
42nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
-31A
Dissipation de puissance maxi
110W
Fonction
commutation rapide
Id (T=100°C)
22A
Id(imp)
110A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Puissance
110W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.06 Ohms
Résistance thermique du boîtier
1.4K/W
Spec info
Dynamic dv/dt Rating
Td(off)
39 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension drain - source
-55V
Tension grille-source
20V, ±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
71 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier