Transistor canal P IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V

Transistor canal P IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.33$
5-24
1.93$
25-49
1.74$
50+
1.57$
Quantité en stock: 33

Transistor canal P IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 150V. C (in): 860pF. C (out): 220pF. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 9A. Id(imp): 44A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Td(off): 53 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 160 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
IRF6215SPBF
30 paramètres
Id (T=25°C)
13A
Idss (maxi)
250uA
Boîtier
D2PAK ( TO-263 )
Boîtier (selon fiche technique)
D2PAK ( TO-263 )
Tension Vds(max)
150V
C (in)
860pF
C (out)
220pF
Dissipation de puissance maxi
110W
Fonction
commutation rapide
Id (T=100°C)
9A
Id(imp)
44A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.29 Ohms
Td(off)
53 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
160 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier