Transistor canal P IRF7104, SO, SO-8, -20V. Boîtier: SO. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 290pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Fonction: 2xP-CH 20V. Marquage du fabricant: F7104. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: non. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27