Transistor canal P IRF7204, SO8
Quantité
Prix unitaire
1-4
1.84$
5-9
1.15$
10-19
0.96$
20-49
0.86$
50+
0.79$
| Quantité en stock: 15 |
Transistor canal P IRF7204, SO8. Boîtier: SO8. Charge: 25nC. Courant de drain: -5.3A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 2.5W. RoHS: oui. Résistance thermique: 50K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: -20V. Tension grille-source: 12V, ±12V. Type de transistor: P-MOSFET, HEXFET. Produit d'origine constructeur: Infineon (irf). Quantité en stock actualisée le 01/11/2025, 14:16
IRF7204
13 paramètres
Boîtier
SO8
Charge
25nC
Courant de drain
-5.3A
Montage/installation
SMD
Polarité
unipolaire
Puissance
2.5W
RoHS
oui
Résistance thermique
50K/W
Technologie
HEXFET®
Tension drain - source
-20V
Tension grille-source
12V, ±12V
Type de transistor
P-MOSFET, HEXFET
Produit d'origine constructeur
Infineon (irf)