Transistor canal P IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v

Transistor canal P IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-1
0.94$
2-4
0.94$
5-49
0.75$
50-99
0.67$
100+
0.55$
Quantité en stock: 707

Transistor canal P IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 4.6A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 870pF. C (out): 720pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 3.7A. Id(imp): 15A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Td(off): 97 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
IRF7205PBF
30 paramètres
Id (T=25°C)
4.6A
Idss (maxi)
5uA
Boîtier
SO
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
870pF
C (out)
720pF
Dissipation de puissance maxi
2.5W
Fonction
commutation rapide
Id (T=100°C)
3.7A
Id(imp)
15A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.07 Ohms
Td(off)
97 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
70 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier