Transistor canal P IRF7233PBF, SO8, -12V

Transistor canal P IRF7233PBF, SO8, -12V

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Transistor canal P IRF7233PBF, SO8, -12V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Capacité de grille Ciss [pF]: 6000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -9.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 77 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F7233. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 26 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:31

Documentation technique (PDF)
IRF7233PBF
16 paramètres
Boîtier
SO8
Tension drain-source Uds [V]
-12V
Capacité de grille Ciss [pF]
6000pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-9.5A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.02 Ohms @ -9.5A
Dissipation maximale Ptot [W]
2.5W
Délai de coupure tf[nsec.]
77 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
F7233
Nombre de bornes
8
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
26 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-1.5V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier