Transistor canal P IRF7306TRPBF, SO8, -30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. : 'enhanced'. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -3.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ -1.8A. Courant de drain: -3.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F7306. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 8. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. RoHS: oui. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension drain - source: -30V. Type de conditionnement: bobine. Type de transistor: P-MOSFET. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:53