Transistor canal P IRF7316PBF, SO8, -30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 710pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -3.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F7316. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:16