Transistor canal P IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v

Transistor canal P IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.44$
5-49
1.19$
50-99
1.01$
100+
0.90$
Quantité en stock: 30

Transistor canal P IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1700pF. C (out): 890pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id (T=100°C): 7.1A. Id(imp): 45A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Td(off): 59 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.04V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
IRF7416
28 paramètres
Id (T=25°C)
10A
Idss (maxi)
25uA
Boîtier
SO
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
1700pF
C (out)
890pF
Dissipation de puissance maxi
2.5W
Fonction
Ultra Low On-Resistance
Id (T=100°C)
7.1A
Id(imp)
45A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Résistance passante Rds On
0.02 Ohms
Td(off)
59 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Trr Diode (Min.)
56 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.04V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier