Transistor canal P IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v

Transistor canal P IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.14$
5-24
1.90$
25-49
1.77$
50-94
1.54$
95+
1.31$
Quantité en stock: 59

Transistor canal P IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 150uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: circuits de commutation pour ordinateurs portables. Id (T=100°C): 7.1A. Id(imp): 160A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: oui. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.039 Ohms. Td(off): 65 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.3V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
IRF9310
26 paramètres
Id (T=25°C)
20A
Idss (maxi)
150uA
Boîtier
SO
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Tension Vds(max)
30 v
Dissipation de puissance maxi
2.5W
Fonction
circuits de commutation pour ordinateurs portables
Id (T=100°C)
7.1A
Id(imp)
160A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Protection G-S
oui
Protection drain-source
non
Quantité par boîtier
1
Résistance passante Rds On
0.039 Ohms
Td(off)
65 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
transistor HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.4V
Vgs(th) min.
1.3V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier