Transistor canal P IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V

Transistor canal P IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.66$
5-24
1.40$
25-49
1.22$
50-99
1.14$
100+
1.01$
Quantité en stock: 263

Transistor canal P IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=25°C): 6.8A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 350pF. C (out): 110pF. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 4.1A. Id(imp): 27A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
IRF9520N
28 paramètres
Id (T=25°C)
6.8A
Idss (maxi)
250uA
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
100V
C (in)
350pF
C (out)
110pF
Dissipation de puissance maxi
48W
Fonction
transistor MOSFET canal P
Id (T=100°C)
4.1A
Id(imp)
27A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.48 Ohms
Td(off)
28 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Trr Diode (Min.)
100 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier