Transistor canal P IRF9530N, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V

Transistor canal P IRF9530N, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.92$
5-24
1.65$
25-49
1.45$
50-99
1.29$
100+
1.07$
Quantité en stock: 45

Transistor canal P IRF9530N, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 760pF. C (out): 260pF. Dissipation de puissance maxi: 79W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 10A. Id(imp): 56A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
IRF9530N
30 paramètres
Id (T=25°C)
14A
Idss (maxi)
250uA
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
100V
C (in)
760pF
C (out)
260pF
Dissipation de puissance maxi
79W
Fonction
commutation rapide
Id (T=100°C)
10A
Id(imp)
56A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.20 Ohms
Td(off)
45 ns
Td(on)
15 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
130 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier