Transistor canal P IRF9530NSTRLPBF, D2PAK
Quantité
Prix unitaire
1-9
4.52$
10-49
2.89$
50-99
2.73$
100-199
2.67$
200+
2.62$
| Quantité en stock: 5 |
Transistor canal P IRF9530NSTRLPBF, D2PAK. Boîtier: D2PAK. : 'enhanced'. Courant de drain: -14A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 3.8W. RoHS: oui. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: -100V. Type de conditionnement: bobine. Type de transistor: P-MOSFET. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 01/11/2025, 14:16
IRF9530NSTRLPBF
12 paramètres
Boîtier
D2PAK
'enhanced'
Courant de drain
-14A
Montage/installation
SMD
Polarité
unipolaire
Puissance
3.8W
RoHS
oui
Technologie
HEXFET®
Tension drain - source
-100V
Type de conditionnement
bobine
Type de transistor
P-MOSFET
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies