Transistor canal P IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V

Transistor canal P IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.45$
5-24
1.23$
25-49
1.08$
50-99
0.97$
100+
0.81$
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Transistor canal P IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 1.8A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 170pF. C (out): 50pF. Charge: 11nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -1A, -1.75A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 1A. Id(imp): 7A. Idss (min): 100uA. Marquage du fabricant: IRF9610PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 20W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 3 Ohms. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Td(off): 10 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -200V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
IRF9610
39 paramètres
Boîtier
TO-220
Id (T=25°C)
1.8A
Idss (maxi)
500uA
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
200V
C (in)
170pF
C (out)
50pF
Charge
11nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
-1A, -1.75A
Dissipation de puissance maxi
20W
Fonction
commutation rapide
Id (T=100°C)
1A
Id(imp)
7A
Idss (min)
100uA
Marquage du fabricant
IRF9610PBF
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Puissance
20W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance dans l'état passant
3 Ohms
Résistance passante Rds On
3 Ohms
Td(off)
10 ns
Td(on)
8 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension drain - source
-200V
Tension grille-source
±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
240 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Vishay