Transistor canal P IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V

Transistor canal P IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V

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Transistor canal P IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): -55V. Courant de drain maxi: 17A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 620pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -19A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 68W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRF9Z34NPBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 56W. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Type de canal: P. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:16

Documentation technique (PDF)
IRF9Z34NPBF
22 paramètres
Boîtier
TO-220AB
Tension drain - source (Vds)
-55V
Courant de drain maxi
17A
Tension drain-source Uds [V]
-55V
Capacité de grille Ciss [pF]
620pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-19A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.1 Ohms @ -10A
Dissipation maximale Ptot [W]
68W
Délai de coupure tf[nsec.]
30 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
IRF9Z34NPBF
Nombre de bornes
3
Puissance
56W
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.10 Ohms
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
13 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-4V
Type de canal
P
Type de transistor
transistor de puissance MOSFET
Produit d'origine constructeur
International Rectifier