Transistor canal P IRFD9110PBF, HEXDIP, -100V, 0.7A, -100V. Boîtier: HEXDIP. Tension drain - source (Vds): -100V. Courant de drain maxi: 0.7A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRFD9110PBF. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Type de canal: P. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 17:57