Transistor canal P IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V
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Transistor canal P IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V. Boîtier: DIP. Id (T=25°C): 0.1A. Idss (maxi): 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. Charge: 18nC. Courant de drain: -1A, -0.7A. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 0.6A. Marquage du fabricant: IRFD9120PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Polarité: unipolaire. Puissance: 1.3W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension drain - source: -100V. Tension grille-source: ±20V. Type de canal: P. Type de transistor: P-MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:37