Transistor canal P IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V

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Transistor canal P IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V. Boîtier: DIP. Id (T=25°C): 0.56A. Idss (maxi): 0.56A. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 200V. Charge: 15nC. Courant de drain: -600mA, -0.36A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 0.34A. Marquage du fabricant: IRFD9220PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Polarité: unipolaire. Puissance: 1W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension drain - source: -200V. Tension grille-source: ±20V. Type de canal: P. Type de transistor: P-MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:37

Documentation technique (PDF)

IRFD9220

24 paramètres

Boîtier

DIP

Id (T=25°C)

0.56A

Idss (maxi)

0.56A

Boîtier (selon fiche technique)

DH-1 house, DIP-4

Tension Vds(max)

200V

Charge

15nC

Courant de drain

-600mA, -0.36A

Dissipation de puissance maxi

Fonction

transistor MOSFET canal P

Id (T=100°C)

0.34A

Marquage du fabricant

IRFD9220PBF

Montage/installation

montage traversant pour circuit imprimé

Nombre de connexions

Polarité

unipolaire

Puissance

Quantité par boîtier

RoHS

oui

Résistance passante Rds On

1.5 Ohms

Technologie

HEXFET Power MOSFET

Tension drain - source

-200V

Tension grille-source

±20V

Type de canal

Type de transistor

P-MOSFET

Produit d'origine constructeur

International Rectifier