Transistor canal P IRFD9220PBF, HD-1, -200V. Boîtier: HD-1. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 340pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.56A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 7.3 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRFD9220PBF. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36