Transistor canal P IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V

Transistor canal P IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.15$
5-49
0.97$
50-99
0.81$
100-199
0.74$
200+
0.62$
Quantité en stock: 78

Transistor canal P IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. Id (T=25°C): 1.1A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 100V. C (in): 200pF. C (out): 94pF. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Id (T=100°C): 0.69A. Id(imp): 8.8A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:37

Documentation technique (PDF)
IRFL9110
28 paramètres
Id (T=25°C)
1.1A
Idss (maxi)
500uA
Boîtier
SOT-223 ( TO-226 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-223
Tension Vds(max)
100V
C (in)
200pF
C (out)
94pF
Dissipation de puissance maxi
3.1W
Id (T=100°C)
0.69A
Id(imp)
8.8A
Idss (min)
100uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
1.2 Ohms
Td(off)
15 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
80 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Vishay