Transistor canal P IRFL9110PBF, SOT-223, -100V
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Transistor canal P IRFL9110PBF, SOT-223, -100V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -1.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: FF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:47
IRFL9110PBF
16 paramètres
Boîtier
SOT-223
Tension drain-source Uds [V]
-100V
Capacité de grille Ciss [pF]
200pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-1.1A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
1.2 Ohms @ -0.66A
Dissipation maximale Ptot [W]
3.1W
Délai de coupure tf[nsec.]
15 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
FF
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
10 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-4V
Produit d'origine constructeur
Vishay (ir)