Transistor canal P IRFR5305PBF, TO252AA, DPAK
Quantité
Prix unitaire
1-4
2.64$
5-9
1.65$
10-19
1.45$
20-49
1.34$
50+
1.26$
| Quantité en stock: 20 |
Transistor canal P IRFR5305PBF, TO252AA, DPAK. Boîtier: TO252AA, DPAK. Charge: 42nC. Courant de drain: -31A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 89W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.4K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: -55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de transistor: P-MOSFET, HEXFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 01/11/2025, 15:21
IRFR5305PBF
13 paramètres
Boîtier
TO252AA, DPAK
Charge
42nC
Courant de drain
-31A
Montage/installation
SMD
Polarité
unipolaire
Puissance
89W
RoHS
oui
Résistance thermique du boîtier
1.4K/W
Technologie
HEXFET®
Tension drain - source
-55V
Tension grille-source
20V, ±20V
Type de transistor
P-MOSFET, HEXFET
Produit d'origine constructeur
International Rectifier