Transistor canal P IRFR9024, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V

Transistor canal P IRFR9024, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.17$
5-24
1.03$
25-49
0.92$
50-74
0.86$
75+
0.76$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 165

Transistor canal P IRFR9024, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 570pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 42W. Id (T=100°C): 5.6A. Id(imp): 35A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100us. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:37

Documentation technique (PDF)
IRFR9024
28 paramètres
Id (T=25°C)
8.8A
Idss (maxi)
500uA
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tension Vds(max)
60V
C (in)
570pF
C (out)
360pF
Dissipation de puissance maxi
42W
Id (T=100°C)
5.6A
Id(imp)
35A
Idss (min)
100uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.28 Ohms
Td(off)
15 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
100us
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier

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