Transistor canal P IRFR9024NTRPBF, D-PAK, TO-252, -55V

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Transistor canal P IRFR9024NTRPBF, D-PAK, TO-252, -55V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 38W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: FR9024N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:19

Documentation technique (PDF)
IRFR9024NTRPBF
17 paramètres
Boîtier
D-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-252
Tension drain-source Uds [V]
-55V
Capacité de grille Ciss [pF]
350pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-11A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.175 Ohms @ -6.6A
Dissipation maximale Ptot [W]
38W
Délai de coupure tf[nsec.]
23 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
FR9024N
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
13 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-4V
Produit d'origine constructeur
Infineon