Transistor canal P IRLML5203, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v

Transistor canal P IRLML5203, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.42$
5-49
0.31$
50-99
0.27$
100+
0.24$
Quantité en stock: 255

Transistor canal P IRLML5203, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 510pF. C (out): 71pF. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id (T=100°C): 2.4A. Id(imp): 24A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: H. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS H. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.098 Ohms. Td(off): 52 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:13

Documentation technique (PDF)
IRLML5203
32 paramètres
Id (T=25°C)
3A
Idss (maxi)
5uA
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 )
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
510pF
C (out)
71pF
Dissipation de puissance maxi
1.25W
Fonction
Ultra Low On-Resistance
Id (T=100°C)
2.4A
Id(imp)
24A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
H
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
Remarque
sérigraphie/code CMS H
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.098 Ohms
Td(off)
52 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
17 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.5V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier