Transistor canal P IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V

Transistor canal P IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.45$
5-49
0.38$
50-99
0.32$
100-199
0.28$
200+
0.22$
Quantité en stock: 275

Transistor canal P IRLML6402, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Id (T=25°C): 3.7A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 633pF. C (out): 145pF. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id (T=100°C): 2.2A. Id(imp): 22A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.05 Ohms. Td(off): 588 ns. Td(on): 350 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.4V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:13

Documentation technique (PDF)
IRLML6402
27 paramètres
Id (T=25°C)
3.7A
Idss (maxi)
25uA
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 )
Tension Vds(max)
20V
C (in)
633pF
C (out)
145pF
Dissipation de puissance maxi
1.3W
Fonction
Ultra Low On-Resistance
Id (T=100°C)
2.2A
Id(imp)
22A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Résistance passante Rds On
0.05 Ohms
Td(off)
588 ns
Td(on)
350 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
1.2V
Vgs(th) min.
0.4V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier