Transistor canal P MMBFJ175, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Idss (maxi): 60mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 11pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 225mW. IGF: 50mA. Idss (min): 7mA. Marquage sur le boîtier: 6W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 6W. RoHS: oui. Technologie: P-Channel Switch. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 6V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3V. Type de canal: P. Type de transistor: JFET. Unité de conditionnement: 3000. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27