Transistor canal P NDP6020P, -20V
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Transistor canal P NDP6020P, -20V. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1590pF. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Marquage du fabricant: NDP6020P. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -0.7V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:53
NDP6020P
11 paramètres
Tension drain-source Uds [V]
-20V
Capacité de grille Ciss [pF]
1590pF
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-24A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.05 Ohms @ -24A
Dissipation maximale Ptot [W]
60W
Délai de coupure tf[nsec.]
250 ns
Marquage du fabricant
NDP6020P
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
30 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-0.7V
Produit d'origine constructeur
Onsemi