Transistor canal P NDS332P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V

Transistor canal P NDS332P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V

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Transistor canal P NDS332P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. Id (T=25°C): 1A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SSOT. Boîtier (selon fiche technique): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 195pF. C (out): 105pF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. IGF: 1A. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. Td(off): 25 ns. Td(on): 8 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
NDS332P
28 paramètres
Id (T=25°C)
1A
Idss (maxi)
10uA
Boîtier
SSOT
Boîtier (selon fiche technique)
SSOT-3 ( SuperSOT-3 )
Tension Vds(max)
20V
C (in)
195pF
C (out)
105pF
Dissipation de puissance maxi
0.5W
Fonction
Mode d'amélioration du niveau logique
IGF
1A
Id(imp)
10A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.35 Ohms
Td(off)
25 ns
Td(on)
8 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
8V
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
1V
Vgs(th) min.
0.4V
Produit d'origine constructeur
Fairchild