Transistor canal P NTD2955-1G, TO-251 ( I-Pak ), -60V, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), 60V. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 500pF. C (out): 150pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 750pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Dissipation de puissance maxi: 55W. Dissipation maximale Ptot [W]: 55W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id(imp): 18A. Idss (min): 10uA. Marquage du fabricant: NT2955G. Marquage sur le boîtier: NT2955. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.155 Ohms. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27