Transistor canal P NTD2955-T4G, D-PAK, TO-252, -60V

Transistor canal P NTD2955-T4G, D-PAK, TO-252, -60V

Quantité
Prix unitaire
1-99
1.57$
100+
1.15$
Quantité en stock: 1674

Transistor canal P NTD2955-T4G, D-PAK, TO-252, -60V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 750pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 55W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: NT2955G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36

Documentation technique (PDF)
NTD2955-T4G
17 paramètres
Boîtier
D-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-252
Tension drain-source Uds [V]
-60V
Capacité de grille Ciss [pF]
750pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-12A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.18 Ohms @ -6A
Dissipation maximale Ptot [W]
55W
Délai de coupure tf[nsec.]
40 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
NT2955G
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
20 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-4V
Produit d'origine constructeur
Onsemi