Transistor canal P RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V

Transistor canal P RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V

Quantité
Prix unitaire
1-4
21.75$
5-9
20.52$
10-24
19.19$
25+
17.87$
Produit obsolète, bientôt retiré du catalogue
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Transistor canal P RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 630V. C (in): 1250pF. C (out): 40pF. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 30W. Ic(puls): 200A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Type de canal: P. Produit d'origine constructeur: Panasonic. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:13

Documentation technique (PDF)
RJP63F4A
23 paramètres
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension collecteur/émetteur Vceo
630V
C (in)
1250pF
C (out)
40pF
Courant de collecteur
40A
Diode CE
non
Diode au Germanium
non
Dissipation de puissance maxi
30W
Ic(puls)
200A
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
RoHS
oui
Spec info
Panasonic--TX-P50VT20EA
Td(off)
50 ns
Td(on)
20 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1.7V
Tension grille - émetteur VGE(th) min.
2.5V
Tension grille - émetteur VGE(th)max.
5V
Tension grille - émetteur VGE
30 v
Type de canal
P
Produit d'origine constructeur
Panasonic